Ifølge princippet om hall-effekt afhænger størrelsen af hallpotentialet af: Rh er hall konstant, som er relateret til halvledermateriale; Jeg er bias strømmen af hall element; B er magnetfeltstyrken; D er tykkelsen af halvledermaterialet.
For en given hallanordning afhænger UH helt af den målte magnetfeltstyrke B, når forskydningsstrømmen I er fastgjort.
Hall effekt
Hall effekt
Et hallelement har normalt fire blyterminaler, hvoraf to er indgangsterminalerne for hallelementets biasstrøm I, og de to andre er udgangsterminalerne for hallspænding. Hvis to output-ender danner en ydre sløjfe, vil hallen strøm blive genereret. Generelt er indstillingen af forskydningsstrøm normalt givet af den eksterne referencespændingskilde. Hvis præcisionskravene er høje, erstattes referencespændingskilden med den konstante strømkilde. For at opnå høj følsomhed har nogle hallelementer høj belægningsbelægningslegering på føleoverfladen. Hallens potentiale for sådanne sensorer er stor, men mætning forekommer omkring 0,05 t, som kun er egnet til brug under lav grænse og lille rækkevidde.
Når et ensartet magnetfelt med magnetisk induktionsintensitet af B påføres i begge ender af halvlederwaferen til styrestrøm I, vil hallspændingen, hvis potentielle forskel er UH, blive genereret i retningen vinkelret på strøm- og magnetfeltet.
